[实用新型]一种晶体硅太阳电池的背面电极结构有效
| 申请号： | 201020122040.0 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN201608193U | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 章灵军;王栩生;王立建 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极，所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点至少为3排，每排具有至少3个连接点；所述P电极连接点至少为2排，每排具有至少3个连接点；所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述N电极连接点。本实用新型提高了太阳电池的转换效率，同时降低了银浆的消耗量，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 背面 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极，其特征在于：所述N、P电极均呈点阵排列，所述N电极连接点(21)至少为3排，每排具有至少3个连接点；所述P电极连接点(22)至少为2排，每排具有至少3个连接点；所述N、P电极交错均布于晶体硅电池的背面，所述N电极连接点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极结构连接，另一端构成所述N电极连接点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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