[实用新型]一种采用超临界水去除光刻胶的系统有效
| 申请号： | 201020125723.1 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN201615991U | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王磊;景玉鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用超临界水去除光刻胶的系统。在半导体技术发展到32nm节点之后，去除高剂量注入的光刻胶是清洗工业面临的重要工艺挑战之一。将超纯水加热加压到临界温度和压力以上，便生成了超临界水。超临界水具有极强的氧化能力，可以去除注入硬化的光刻胶。该系统属于一种湿法-干法相结合的清洗方式，与底层硅表面的兼容性很好，对注入表面的硅原子损耗较低。也能去除特别小的注入光刻胶图形，而且不会引入损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 临界 去除 光刻 系统 | ||
【主权项】：
一种采用超临界水去除光刻胶的系统，其特征在于，该系统包括：氧气罐(1)，通过第一流量控制阀(3)连接于高压泵(5)；去离子水储罐(2)，通过第二流量控制阀(4)连接于高压泵(5)；对富氧去离子水进行加压的高压泵(5)，通过第一阀门(6)连接于加热器(7)；对加压后的富氧去离子水进行加热的加热器(7)，连接于延伸至反应釜内部的喷嘴(11)；安装于反应釜内部并盛放待清洗硅片的步进电机台(13)；安装于步进电机台(13)上将反应生成的气态反应物带出反应釜的N2源(10)；将超临界水吹射到涂有光刻胶的硅片上的喷嘴(11)；放置于步进电机台(13)上的涂有光刻胶的硅片(12)；安装于反应釜侧壁当压力超过设定压力值就会开启的溢流阀(15)；连接于溢流阀(15)并对反应釜中排出的尾气进行处理的尾气处理装置(18)；安装于反应釜底部并控制排水管道开关的第二阀门(16)；连接于第二阀门(16)并将反应釜中的冷凝水排出的排水口(17)。
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