[实用新型]半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构有效
| 申请号： | 201020126786.9 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN201623361U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李军;刘志平;高珊;张磊;邹勇明 | 申请（专利权）人： | 河北中瓷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构，包括金属底板、焊接在金属底板四周上的金属墙体、焊接于金属墙体开口内的光耦合接口以及焊接于光耦合接口两侧金属墙体开口内的陶瓷绝缘子，陶瓷绝缘子上有针形开孔，金属引线焊接在上述针形开孔内并和内外电路相连接，其中：陶瓷绝缘子为T字形结构，细端焊接在金属墙体的开口内，宽端与金属墙体外侧相接触并焊接在金属墙体上。通过将陶瓷绝缘子设置成T字形结构，增加陶瓷绝缘子和金属墙体间的焊接面积，从而解决随着半导体激光器的使用时间加长，器件气密性变差，可靠性低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 器用 金属 陶瓷 绝缘子 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构，包括金属底板(1)、焊接在金属底板(1)四周上的金属墙体(2)、焊接于金属墙体(21)开口内的光耦合接口(3)以及焊接于光耦合接口(3)两侧金属墙体(22、23)开口内的陶瓷绝缘子(4)，陶瓷绝缘子(4)上有针形开孔，金属引线(5)焊接在上述针形开孔内并和内外电路相连接，其特征在于：陶瓷绝缘子(4)为T字形结构，细端焊接在金属墙体(2)的开口内，宽端与金属墙体(2)外侧相接触并焊接在金属墙体(2)上。
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