[实用新型]离子注入控制装置有效
| 申请号： | 201020130272.0 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN201678725U | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 黄柏喻;叶文源;王蒙;何春雷;潘升林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种离子注入控制装置，包括用于驱动晶圆吸盘上下移动的驱动机构、控制离子束左右水平移动的离子束发射器和工作站，工作站分别与驱动机构和离子束发射器连接，离子注入控制装置还包括一用于检测晶圆速度的测速传感器，测速传感器与工作站连接并向该工作站发送检测信息。工作站根据该测速传感器和其他原有传感器所采集到的信息可以计算得到螺母在离子注入过程中的速度(即晶圆在离子注入过程中的速度)，再将螺母在离子注入过程中的速度和设定的允许速度参数范围比较，可以获知螺母及晶圆运动是否发生异常，从而及早发现晶圆的离子过分注入现象和欠注入现象，进而有效提高了晶圆离子注入工艺的稳定性和可靠性，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入控制装置，包括用于驱动晶圆吸盘上下移动的驱动机构、控制离子束左右水平移动的离子束发射器和工作站，所述工作站分别与所述驱动机构和所述离子束发射器连接，其特征在于，所述离子注入控制装置还包括一用于检测晶圆速度的测速传感器，所述测速传感器与所述工作站连接并向该工作站发送检测信息。
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