[实用新型]一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路无效
申请号: | 201020130489.1 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN201656754U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 刘树林;曹晓生;杨波;王媛媛 | 申请(专利权)人: | 西安科技大学 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M3/155 |
代理公司: | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人: | 陈小霞 |
地址: | 710054 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成,并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两个开关器件在脉冲宽度调制信号的控制下交替导通,并将N沟道增强型开关器件的漏、源极间电压反向加在耗尽型开关器件的栅、源极间来控制耗尽型开关器件的开通和关断。本驱动电路的特点是可快速开通和快速关断耗尽型开关器件。不仅解决耗尽型开关器件用于现有开关电源或开关功率变换器的驱动问题,同时还解决了耗尽型开关器件的快速关断问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 耗尽 开关 器件 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路,其特征是:它主要包括一个P沟道增强型开关器件(Q1)、一个N沟道增强型开关器件(Q2)和接在该两个开关器件栅极上的电阻(R1和R2),所述的P沟道增强型开关器件(Q1)的漏极(D)与N沟道增强型开关器件(Q2)的漏极(D)相接,所述P沟道增强型开关器件(Q1)的源极(S)直接或者通过一个电阻(R3)接在本驱动电路的供电电源(VCC)上,所述N沟道增强型开关器件(Q2)的源极(S)直接或者通过一个电阻(Rs)接到电路的参考地,所述P沟道增强型开关器件(Q1)的栅极通过其栅极上的电阻(R1)与控制信号输入端(A)相接,所述N沟道增强型开关器件(Q2)的栅极通过其栅极上的电阻(R2)与控制信号输入端(A)相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科技大学,未经西安科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020130489.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置