[实用新型]光/电双信号纳米传感器无效
申请号: | 201020133845.5 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN201607409U | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 刘名扬;谷松海;赵彤彤;邹明强;陈汝盛 | 申请(专利权)人: | 中华人民共和国辽宁出入境检验检疫局 |
主分类号: | G01N21/76 | 分类号: | G01N21/76 |
代理公司: | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人: | 闪红霞 |
地址: | 116000*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型公开一种可缩短检测时间、具有良好的稳定性及重现性、检测效率及精度高的光/电双信号纳米传感器,与现有技术的区别是石英管(1)内壁上涂有纳米半导体金属氧化物(4)并设有透光窗口(5),在石英管(1)外面设有电加热元件(6),与透光窗口(5)对应设置有滤光片或光栅(7)及光电信号转换装置(8),在所述纳米半导体金属氧化物(4)的两端分别设有正电极(9)、负电极(10),正电极(9)、负电极(10)之间的电流输出及光电信号转换装置(8)与电信号检测电路(11)相接;所述进样口(2)和放空口(3)位于石英管(1)的轴线上。 | ||
搜索关键词: | 信号 纳米 传感器 | ||
【主权项】:
一种光/电双信号纳米传感器,有石英管(1),石英管(1)的两端有进样口(2)和放空口(3),其特征在于:所述石英管(1)内壁上涂有纳米半导体金属氧化物(4)并设有透光窗口(5),在石英管(1)外面设有电加热元件(6),与透光窗口(5)对应设置有滤光片或光栅(7)及光电信号转换装置(8),在所述纳米半导体金属氧化物(4)的两端分别设有正电极(9)、负电极(10),正电极(9)、负电极(10)之间的电流输出及光电信号转换装置(8)与电信号检测电路(11)相接;所述进样口(2)和放空口(3)位于石英管(1)的轴线上。
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