[实用新型]磁控增强离子镀铝装置有效
| 申请号： | 201020139447.4 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN201665706U | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 渠洪波 | 申请（专利权）人： | 沈阳科友真空技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110111 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及离子镀铝(IVD)技术领域，公开一种磁控增强离子镀铝装置，用于解决沉积速率小，镀膜效率低，膜材原子或分子仅部分离化，离化率低的问题。具体方案为：本装置设置在真空室中，安装在基片和蒸发源之间，由左右两部分对称安装组成；每一部分包括阳极板、磁体和极靴；阳极板覆盖在磁体的表面，然后固定安装在极靴上；阳极板同真空室电连接，真空室接地；所述左右两部分磁极极性相对。本实用新型的优点是：增强了离化效果，膜材的原子或分子大量被离化，可以得到很大的离子流，使沉积速率加快，镀膜效率高。同时，被离化的膜材原子或分子有很强的绕射性，可镀制形状复杂的基片。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 离子 镀铝 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控增强离子镀铝装置，其特征在于：本装置设置在真空室(1)中，安装在基片(2)和蒸发源(5)之间，由左右两部分对称安装组成；每一部分包括阳极板(6)、磁体(8)和极靴(9)；阳极板(6)覆盖在磁体(8)的表面，然后固定安装在极靴(9)上；阳极板(6)同真空室(1)电连接，真空室(1)接地；所述左右两部分磁极极性相对。
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