[实用新型]高压反接二极管芯片有效
| 申请号： | 201020141145.0 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN201663163U | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 项卫光;李有康;徐伟 | 申请（专利权）人： | 浙江正邦电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永康市联缙专利事务所(普通合伙) 33208 | 代理人： | 柯利进 |
| 地址： | 321400 浙江省缙云*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高压反接二极管芯片，包括经过扩散的硅片、上衬底和下衬底，该上、下两衬底分别与所述硅片P区顶面和N区底面相接，其特征是：所述硅片P区台面负斜角α为5-7度，硅片N区台面负斜角β为25-35度。它既保证芯片台面的电场减弱，又保证芯片的阳极面(硅片的P区顶面)面积，具有性能可靠、使用方便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 反接 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种高压反接二极管芯片，包括上衬底、下衬底和经过扩散的硅片，该上、下两衬底分别与所述硅片P区顶面和N区底面相接，其特征是：所述硅片P区台面负斜角α为5-7度，硅片N区台面负斜角β为25-35度。
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