[实用新型]一种半导体型探头及包含该探头的非侵入式电压测量装置

摘要

本实用新型涉及一种半导体型探头及使用该探头的非侵入式电压测量装置，该半导体型探头采用将感应部件与采样部件集成在同一块半导体衬底上的结构设计，可以有效减小半导体探头的体积和重量，方便批量生产，其中采样部件采用“氧化层-金属电极-绝缘层-金属电极”的平行板型电容结构，具有电极面积大、高灵敏度、大量程以及良好的线性度，适合收集感应部件产生的感应电荷；感应部件由于外延层直接制作在半导体衬底上，外延层中的电荷仅仅是一个重新排布的过程，因此响应时间很快，本实用新型非侵入式电压测量装置还包括采样控制电路、信号处理电路、微处理器、数字显示器、第一采样开关和第二采样开关。

主权项

一种半导体型探头，其特征在于：由集成在一块半导体衬底(4)上的感应部件与采样部件组成，其中感应部件由生长在半导体衬底(4)上表面和下表面的外延层(3)、制作在外延层(3)上的金属电极(2)和金属电极(2)上的引脚组成，采样部件由依次设置在半导体衬底(4)上表面的氧化层(6)、下层金属电极(8)、绝缘层(5)、上层金属电极(7)和引脚组成，其中上层金属电极(7)和下层金属电极(8)上各设有一个引脚。