[实用新型]PECVD镀膜专用硅片承载器无效
申请号: | 201020151512.5 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN201665709U | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 屈莹;刘志刚;冯鑫 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
地址: | 213200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种PECVD镀膜专用硅片承载器,包括承载框架、单面挂钩、双面挂钩和垫板,单面挂钩与双面挂钩的结构相同,只比后者少一只托钩;在挂钩的扎带上设有压迫凸台和折弯槽,挂钩的固定和拆除都通过压迫凸台沿折弯槽折弯90°方式来实现,挂钩固定后,托钩的顶尖与挂钩连接杆底边的距离小于或等于硅片的厚度,由于改进了挂钩的连接结构,扎带在收紧、拆除过程中只作用于垫板上,不会损伤挂钩连接杆。这种结构的硅片承载器,不仅挂钩能快速安装和拆除,而且安装和拆除对硅片承载框架都不会产生损伤,还能大幅度降低太阳能电池片背面沉积氮化硅层的几率,能更好地满足镀膜工艺要求。 | ||
搜索关键词: | pecvd 镀膜 专用 硅片 承载 | ||
【主权项】:
一种PECVD镀膜专用硅片承载器,它包括承载框架(1)、单面挂钩(2)、双面挂钩(3),单面挂钩(2)和双面挂钩(3)均安装在承载框架(1)上,其特征是:它还包括垫板(4),所述双面挂钩(3)由托钩(31)、钩身(32)、定位槽(33)、扎带(34)、压迫凸台(35)和折弯槽(36)组成,两个托钩(31)对称地位于钩身(32)底部的两侧,定位槽(33)位于钩身(32)的上方,且处于两根扎带(34)之间,压迫凸台(35)设置在扎带(34)的顶端,在两扎带(34)的外侧等高度地设有折弯槽(36),折弯槽(36)的开设位置要求是:当压迫凸台(35)沿折弯槽(36)向内侧边(37)折弯90°后,内侧边(37)到定位槽(33)底边(38)的距离等于两个垫板(4)厚度与挂钩连接杆(11)厚度之和;所述垫板(4)呈“工”字形,在垫板(4)两侧设有扎带槽(41),扎带槽(41)的宽度与扎带(34)的厚度相当,两扎带槽(41)槽底(42)之间的距离与两扎带(34)的内侧边(37)之间的距离相当,托钩(31)的顶尖与挂钩连接杆(11)底边的距离小于或等于硅片(5)的厚度;所述单面挂钩(2)的结构与双面挂钩(3)相同,只比双面挂钩(3)少一只托钩(31);单面挂钩(2)和双面挂钩(3)与挂钩连接杆(11)的安装方式相同,在挂钩连接杆(11)的上端面和下端面均设置有垫板(4),两扎带(34)插穿在垫板(4)的两扎带槽(41)中,定位槽(33)套装在挂钩连接杆(11)上,两根扎带(34)上端的压迫凸台(35)通过沿折弯槽(36)向内侧边(37)折弯90°的方式压在垫板(4)的上端面上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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