[实用新型]一种低温沉积大面积类金刚石薄膜的装置无效
申请号: | 201020154843.4 | 申请日: | 2010-04-12 |
公开(公告)号: | CN201756583U | 公开(公告)日: | 2011-03-09 |
发明(设计)人: | 钱锋;林晶;何光发;杨海友 | 申请(专利权)人: | 深圳市天星达真空镀膜设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/505 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种低温沉积大面积类金刚石薄膜的装置。它包括上电极、下电极、匀气装置、抽气调节阀、分子泵、直联机械泵、净化阀、充气罐、气瓶和负偏压监测仪,上电极、下电极放在真空室中,通过抽气调节阀同分子泵和直联机械泵相连接,分子泵连接净化阀,净化阀分别连接充气罐和气瓶,充气罐通过匀气装置连接到真空室内,负偏压监测仪膜和射频电源分别连接上电极和下电极。本实用新型的设备工艺简单,重复性好,膜的均匀性好。可在光学显微镜下直接观察到金刚石晶体。本实用新型可用于光学,电学和机械等领域的类金刚石薄膜技术。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 沉积 大面积 金刚石 薄膜 装置 | ||
【主权项】:
一种低温沉积大面积类金刚石薄膜的装置,它包括上电极、下电极、匀气装置、抽气调节阀、分子泵、直联机械泵、净化阀、充气罐、气瓶和负偏压监测仪,其特征在于上电极、下电极、匀气装置放在真空室中,通过抽气调节阀同分子泵和直联机械泵相连接,分子泵连接净化阀,净化阀分别连接充气罐和气瓶,充气罐通过匀气装置连接到真空室内,负偏压监测仪膜和射频电源分别连接上电极和下电极。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的