[实用新型]一种低温沉积大面积类金刚石薄膜的装置无效

专利信息
申请号: 201020154843.4 申请日: 2010-04-12
公开(公告)号: CN201756583U 公开(公告)日: 2011-03-09
发明(设计)人: 钱锋;林晶;何光发;杨海友 申请(专利权)人: 深圳市天星达真空镀膜设备有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/505
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518172 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种低温沉积大面积类金刚石薄膜的装置。它包括上电极、下电极、匀气装置、抽气调节阀、分子泵、直联机械泵、净化阀、充气罐、气瓶和负偏压监测仪,上电极、下电极放在真空室中,通过抽气调节阀同分子泵和直联机械泵相连接,分子泵连接净化阀,净化阀分别连接充气罐和气瓶,充气罐通过匀气装置连接到真空室内,负偏压监测仪膜和射频电源分别连接上电极和下电极。本实用新型的设备工艺简单,重复性好,膜的均匀性好。可在光学显微镜下直接观察到金刚石晶体。本实用新型可用于光学,电学和机械等领域的类金刚石薄膜技术。
搜索关键词: 一种 低温 沉积 大面积 金刚石 薄膜 装置
【主权项】:
一种低温沉积大面积类金刚石薄膜的装置,它包括上电极、下电极、匀气装置、抽气调节阀、分子泵、直联机械泵、净化阀、充气罐、气瓶和负偏压监测仪,其特征在于上电极、下电极、匀气装置放在真空室中,通过抽气调节阀同分子泵和直联机械泵相连接,分子泵连接净化阀,净化阀分别连接充气罐和气瓶,充气罐通过匀气装置连接到真空室内,负偏压监测仪膜和射频电源分别连接上电极和下电极。
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