[实用新型]硅外延平面三极管有效
| 申请号： | 201020161927.0 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN201655781U | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 胡援朝;赵建华 | 申请（专利权）人： | 江西联创特种微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 黄新平 |
| 地址： | 330012 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种硅外延平面三极管，是将现有的硅外延平面三极管单纯用二氧化硅作为钝化膜的结构，设计为里层为二氧化硅、中间层为磷硅玻璃、外层为二氧化硅的三层钝化膜的结构。本实用新型的硅外延平面三极管生产成本低，由于在二氧化硅层内覆盖了一层磷硅玻璃，大大降低可动电荷的迁移率，同时具有了提取和阻挡可动电荷的能力，使直流放大系数hFE更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 平面 三极管 | ||
【主权项】：
一种硅外延平面三极管，其特征在于：钝化膜为里层为二氧化硅、中间层为磷硅玻璃、外层为二氧化硅的三层结构。
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