[实用新型]大功率的垂直结构LED芯片无效
申请号: | 201020168125.2 | 申请日: | 2010-03-27 |
公开(公告)号: | CN201681963U | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 彭晖 | 申请(专利权)人: | 金芃;彭晖 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 大功率的垂直结构LED芯片包括导电支持衬底、半导体外延层、焊盘绝缘层、电极绝缘层、电极。焊盘绝缘层和电极绝缘层形成在半导体外延层上;打线焊盘形成在焊盘绝缘层上;电极包括,打线焊盘、非有效条形电极、有效条形电极、混合条形电极;有效条形电极形成在半导体外延层上;非有效条形电极形成在电极绝缘层上而不直接与半导体外延层接触;混合条形电极包括有效电极部分和非有效电极部分,有效电极部分形成在半导体外延层上,非有效电极部分形成在焊盘绝缘层和/或电极绝缘层上。焊盘绝缘层使得电流不能从打线焊盘直接流向半导体外延层,电极绝缘层使得电流不能从非有效条形电极和/或混合条形电极的非有效电极部分直接流向半导体外延层。 | ||
搜索关键词: | 大功率 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】:
一种大功率的垂直结构LED芯片,包括:导电支持衬底、半导体外延层、至少一个焊盘绝缘层、至少一个电极绝缘层和电极;其特征在于,所述的半导体外延层键合于所述的导电支持衬底上;所述的焊盘绝缘层形成在所述的半导体外延层的预定位置上;所述的电极绝缘层形成在所述的半导体外延层的预定位置上;至少一个所述的电极绝缘层与所述的焊盘绝缘层相连接;所述的电极包括,至少一个打线焊盘、非有效条形电极和混合条形电极;所述的打线焊盘形成于所述的焊盘绝缘层上,使得电流不能从所述的打线焊盘直接流向所述的半导体外延层;所述的非有效条形电极的主要部分形成在所述的电极绝缘层上,所述的非有效条形电极的其它部分形成在所述的焊盘绝缘层上,使得电流不能从所述的非有效条形电极直接流向所述的半导体外延层;所述的混合条形电极包括有效电极部分和非有效电极部分,所述的有效电极部分形成在所述的半导体外延层上,所述的非有效电极部分形成在所述的电极绝缘层上;至少一个所述的非有效条形电极与所述的打线焊盘电连接;至少两个所述的混合条形电极与所述的非有效条形电极电连接;所述的混合条形电极的所述的有效电极部分基本互相平行。
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