[实用新型]单晶炉低功耗勾形电磁场装置无效

专利信息
申请号: 201020168138.X 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN201713601U 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 安涛;高勇;李扬;李守智;马剑平 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种单晶炉勾形电磁场装置,包括炉腔体和设置在炉腔体内的坩埚,炉腔体外圆周的上端和下端分别缠绕有线圈a和线圈b,线圈a和线圈b外侧设置有屏蔽体,线圈a和线圈b由空心紫铜方管和铜线交替密绕而成,各路线圈是串联在一起的;线圈a或线圈b的匝数至少为1800匝。本实用新型的有益效果是,在满足磁场强度的前提下,通过增加线圈的总匝数N,降低线圈电流I,降低磁场的功耗,可使其功耗减低为几个千瓦,解决了原勾形磁场大功耗问题,为直拉法拉制高品质单晶提供一种实用的低功耗电磁场装置。
搜索关键词: 单晶炉低 功耗 电磁场 装置
【主权项】:
一种单晶炉勾形电磁场装置,包括炉腔体(4)和设置在炉腔体(4)内的坩埚(8),炉腔体(4)外圆周的上端和下端分别缠绕有线圈a(1)和线圈b(3),线圈a(1)和线圈b(3)外侧设置有屏蔽体(2),其特征在于:所述线圈a(1)和线圈b(3)由空心紫铜方管(9)和铜线(10)交替密绕而成,各路线圈是串联在一起的;线圈a(1)或线圈b(3)的匝数至少为1800匝。
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