[实用新型]P沟道JFET与双极混合集成电路有效
| 申请号： | 201020171746.6 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN201741696U | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 魏守国;雷必庆 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/102;H01L23/528 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种P沟道JFET与双极混合集成电路，属于半导体硅器件与集成电路制造技术领域，主要特点是在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离，通过相关工艺，本实用新型实现了既具有双极集成电路的速度高、驱动能力强的优点，同时又具有高增益、低功耗、高阻抗、高电压输出的电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 jfet 混合 集成电路 | ||
【主权项】：
一种P沟道JFET与双极混合集成电路，包括普通双极集成电路，其特征是，在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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