[实用新型]一种大型芯片无效
申请号: | 201020171798.3 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN201699051U | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 施建江;兰叶 | 申请(专利权)人: | 杭州海鲸光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 王江成 |
地址: | 311222 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种芯片,尤其是涉及一种大型芯片。其主要是解决现有技术所存在的电极的封装较为复杂,P电极区域、N电极区域的制造较为不易,制造成本较大等的技术问题。本实用新型包括壳体,其特征在于所述的壳体为二氧化硅保护层(1),二氧化硅保护层上设有P电极区域与N电极区域,二氧化硅保护层下方设有透明接触电极层(4),P电极区域、N电极区域的下方分别设有P型GaN(5)、N型GaN(6),N型GaN的下方依次设有衬底(7)、反射层(8)。 | ||
搜索关键词: | 一种 大型 芯片 | ||
【主权项】:
一种大型芯片,包括壳体,其特征在于所述的壳体为二氧化硅保护层(1),二氧化硅保护层上设有P电极区域与N电极区域,二氧化硅保护层下方设有透明接触电极层(4),P电极区域、N电极区域的下方分别设有P型GaN(5)、N型GaN(6),N型GaN的下方依次设有衬底(7)、反射层(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海鲸光电科技有限公司,未经杭州海鲸光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020171798.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种预制梁人工滑船横移系统
- 下一篇:一种拉压调高型曲面钢支座