[实用新型]双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管无效
| 申请号： | 201020174394.X | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN201699049U | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;陈依新 | 申请（专利权）人： | 沈光地;陈依新 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管属于半导体光电子技术领域。该结构依次层叠有上电极(100)、电流扩展层(102)、发光单元(200)、转移衬底(301)、衬底方向的下电极(101)。在上电极(100)下方以及转移衬底(301)上方分别制备上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)，且上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)在层叠方向的位置相对应。本实用新型的这种结构方式在薄膜型发光二极管中能够起到彻底阻挡注入电流的作用，避免了注入电流产生的光子被电极阻挡和吸收，大大地提高了有效电流的比例，同时也增加了出光效率，减少了热的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 阻挡 输运 结构 薄膜 发光二极管 | ||
【主权项】：
双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管，包括有依次层叠的上电极(100)、电流扩展层(102)、发光单元(200)、转移衬底(301)、衬底方向的下电极(101)，其中发光单元(200)由上限制层(201)、有源区(202)和下限制层(203)组成，其特征在于：在上电极(100)下方以及转移衬底(301)上方同时分别制备上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)，且上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)在层叠方向的位置相对应。
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