[实用新型]半导体芯片耐高压测试装置有效
| 申请号： | 201020185398.8 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN201740845U | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 半导体芯片耐高压测试装置。涉及一种防止半导体高压芯片测试时出现打火的测试装置。能避免检测时出现打火现象，进而提高检测精度。测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测芯片的测试台和测试针，所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路，所述保护气体管路的出气口对应所述测试针的针尖位置。本实用新型在原有测试装置上增设了阻燃性的保护气体管路，阻燃气体(如：N2等)施放于测试针尖位置，在其周围形成一个保护环境，能有效避免打火现象的发生，进而避免打火对检测精度的影响，能提高半导体高压芯片的测试精度。本实用新型可有效防止半导体高压芯片测试时产生的打火现象，保证芯片测试的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 高压 测试 装置 | ||
【主权项】：
半导体芯片耐高压测试装置，所述测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测芯片的测试台和测试针，其特征在于，所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路，所述保护气体管路的出气口对应所述测试针的针尖位置。
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