[实用新型]二极管芯片有效
| 申请号： | 201020185410.5 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN201708159U | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;裘立强;魏兴政 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 二极管芯片。涉及一种半导体分立器件。能克服检测中放电，使用中“爬电”现象。芯片边沿设有一圈玻璃质保护层，芯片的水平投影为无折角的封闭形状；芯片的纵向截面呈凸字形，侧边上部为凹弧形，下部为直边；侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜；玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95％。本实用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放电，提高耐压能力，避免失效或故障。SIPOS膜作用为吸收芯片表面可动离子(杂质)，增强器件稳定性、提高二极管耐压能力。沟槽底部仍会保留SIPOS膜和SIO2膜，防止在蒸金时会有金层附着在上面。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
二极管芯片，所述芯片边沿设有一圈玻璃质保护层，其特征在于，所述芯片的水平投影为无折角的封闭形状；所述芯片的纵向截面呈凸字形，侧边上部为凹弧形，下部为直边；所述侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜；所述玻璃质保护层覆盖所述半绝缘多晶硅膜上部的70 95％。
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