[实用新型]大面积磁控镀膜用真空过渡室无效
| 申请号： | 201020189993.9 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN201686740U | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 何玄涛;朱敏华 | 申请（专利权）人： | 上海子创镀膜技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海衡方知识产权代理有限公司 31234 | 代理人： | 卞孜真 |
| 地址： | 201617 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种磁控镀膜用真空缓冲装置。其包括主箱体，左、右端板，沿口板，所述主箱体由中间隔板装置间隔成多个真空腔室，所述中间隔板装置设有通孔以供镀膜基片在多个真空腔室之间通行。本实用新型解决了镀膜区气氛稳定的技术问题，提高了镀膜基材的镀膜质量、镀膜效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 镀膜 真空 过渡 | ||
【主权项】：
大面积磁控镀膜用真空过渡室，包括主箱体(10)，左、右端板(20，30)，沿口板(40)，其特征在于：所述主箱体(10)由中间隔板装置(50)间隔成多个真空腔室(60，61，62)，所述中间隔板装置(50)设有通孔(70)以供镀膜基片在多个真空腔室之间通行。
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