[实用新型]一种多层薄膜的沉积装置无效
| 申请号： | 201020215457.1 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN201713572U | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 赵彦辉;肖金泉;郎文昌;于宝海;华伟刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/04;C23C14/22 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型属于金属材料表面沉积超硬多层涂层技术领域，具体为一种钛/氮化钛多层薄膜的沉积装置。它是在同一个真空室中，通过交替通入不同气体，开启电弧蒸发源沉积超硬多层薄膜，可以实现多层薄膜厚度的精确控制。在该沉积装置通入氩气和氮气的管路上接有气体质量流量控制器、时间继电器和气体质量流量显示仪，气体质量流量控制器连接时间继电器，时间继电器连接气体质量流量显示仪。本实用新型解决了电弧离子镀沉积多层薄膜时采用手动控制气体流量而导致的多层中各单元层厚度不均匀的问题，采用气体质量流量控制器来实现氩气、氮气等多路气体的交替通入，从而保证单元层厚度的精确控制，以使沉积的超硬多层薄膜达到提高硬度和耐磨性的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种多层薄膜的沉积装置，其特征在于：在该沉积装置通入氩气和氮气的管路上接有气体质量流量控制器、时间继电器和气体质量流量显示仪，气体质量流量控制器连接时间继电器，时间继电器连接气体质量流量显示仪。
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