[实用新型]一种厚膜SOI结构无效
申请号: | 201020221058.6 | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN201673910U | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 张海鹏;齐瑞生;洪玲伟 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种厚膜SOI结构。本实用新型依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布;半导体衬底厚度为100~300μm,掺杂硼浓度为1013~1015cm-3;N型顶层硅膜厚度为2~70μm,掺杂磷浓度为5×1014~2×1016cm-3;薄隐埋氧化层是厚度为50~300nm的二氧化硅;P型硅隐埋层材料为硅,厚度为22~145μm,掺杂杂质元素包括铝、镓、硼。本实用新型在表面终端技术、漂移区长度优化等方面具有显著提高,有利于节能降耗、保护环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 soi 结构 | ||
【主权项】:
一种厚膜SOI结构,依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜;薄隐埋氧化层将半导体衬底与P型硅隐埋层完全隔离,P型硅隐埋层的上表面被N型顶层硅膜完全覆盖,其特征在于:所述半导体衬底的材料为硅,厚度为100~300μm,掺杂杂质元素为硼、掺杂浓度为1013~1015cm 3;所述的N型顶层硅膜的厚度为2~70μm,掺杂杂质元素为磷、掺杂浓度为5×1014~2×1016cm 3;所述的薄隐埋氧化层的厚度为50~300nm,材料为二氧化硅;所述的P型硅隐埋层的材料为硅,厚度为22~145μm,掺杂杂质元素包括铝、镓、硼,铝掺杂浓度为1014~2×1016cm 3、镓掺杂浓度为1016~1018cm 3、硼掺杂浓度为1019~1021cm 3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020221058.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:极薄煤层综采液压支架
- 下一篇:一种耐酸碱不易褪色的环氧地坪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的