[实用新型]一种厚膜SOI结构无效

专利信息
申请号: 201020221058.6 申请日: 2010-06-08
公开(公告)号: CN201673910U 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 张海鹏;齐瑞生;洪玲伟 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种厚膜SOI结构。本实用新型依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布;半导体衬底厚度为100~300μm,掺杂硼浓度为1013~1015cm-3;N型顶层硅膜厚度为2~70μm,掺杂磷浓度为5×1014~2×1016cm-3;薄隐埋氧化层是厚度为50~300nm的二氧化硅;P型硅隐埋层材料为硅,厚度为22~145μm,掺杂杂质元素包括铝、镓、硼。本实用新型在表面终端技术、漂移区长度优化等方面具有显著提高,有利于节能降耗、保护环境。
搜索关键词: 一种 soi 结构
【主权项】:
一种厚膜SOI结构,依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜;薄隐埋氧化层将半导体衬底与P型硅隐埋层完全隔离,P型硅隐埋层的上表面被N型顶层硅膜完全覆盖,其特征在于:所述半导体衬底的材料为硅,厚度为100~300μm,掺杂杂质元素为硼、掺杂浓度为1013~1015cm 3;所述的N型顶层硅膜的厚度为2~70μm,掺杂杂质元素为磷、掺杂浓度为5×1014~2×1016cm 3;所述的薄隐埋氧化层的厚度为50~300nm,材料为二氧化硅;所述的P型硅隐埋层的材料为硅,厚度为22~145μm,掺杂杂质元素包括铝、镓、硼,铝掺杂浓度为1014~2×1016cm 3、镓掺杂浓度为1016~1018cm 3、硼掺杂浓度为1019~1021cm 3。
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