[实用新型]一种厚膜SOI结构

摘要

本实用新型涉及一种厚膜SOI结构。本实用新型依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；半导体衬底厚度为100～300μm，掺杂硼浓度为1013～1015cm-3；N型顶层硅膜厚度为2～70μm，掺杂磷浓度为5×1014～2×1016cm-3；薄隐埋氧化层是厚度为50～300nm的二氧化硅；P型硅隐埋层材料为硅，厚度为22～145μm，掺杂杂质元素包括铝、镓、硼。本实用新型在表面终端技术、漂移区长度优化等方面具有显著提高，有利于节能降耗、保护环境。

主权项

一种厚膜SOI结构，依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜；薄隐埋氧化层将半导体衬底与P型硅隐埋层完全隔离，P型硅隐埋层的上表面被N型顶层硅膜完全覆盖，其特征在于：所述半导体衬底的材料为硅，厚度为100～300μm，掺杂杂质元素为硼、掺杂浓度为1013～1015cm 3；所述的N型顶层硅膜的厚度为2～70μm，掺杂杂质元素为磷、掺杂浓度为5×1014～2×1016cm 3；所述的薄隐埋氧化层的厚度为50～300nm，材料为二氧化硅；所述的P型硅隐埋层的材料为硅，厚度为22～145μm，掺杂杂质元素包括铝、镓、硼，铝掺杂浓度为1014～2×1016cm 3、镓掺杂浓度为1016～1018cm 3、硼掺杂浓度为1019～1021cm 3。