[实用新型]一种镓扩散形成的可控硅穿通结构有效
| 申请号： | 201020240841.7 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN201804871U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周健;耿开远;朱法扬 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226224 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。本实用新型的优点是：硼穿通扩散均可在温度1260摄氏度和1270摄氏度下进行穿通，穿通时间对应为170小时和120小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可控硅电压高；镓扩散浓度低，R□约100-200Ω/□，反向阻断电压低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 形成 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。
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