[实用新型]新型阴极光刻版有效
| 申请号： | 201020240859.7 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN201707542U | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 周健;耿开远;朱法扬 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226224 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及新型阴极光刻版，包括正面阴极版和背面阴极版，其特征是所述背面阴极版为四象限触发电流无穷大阴极版，所述四象限触发电流无穷大阴极版呈类梯形状，所述四象限触发电流无穷大阴极版光刻硅片背面后产生的图形与正面阴极版光刻硅片后产生的图形在俯视状态下无重叠。本实用新型的优点是：无需再在电路中增加保护元件，增加了电路的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 阴极 光刻 | ||
【主权项】：
新型阴极光刻版，包括正面阴极版和背面阴极版，其特征是所述背面阴极版为四象限触发电流无穷大阴极版，所述四象限触发电流无穷大阴极版呈类梯形状，所述四象限触发电流无穷大阴极版光刻硅片背面后产生的图形与正面阴极版光刻硅片后产生的图形在俯视状态下无重叠。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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