[实用新型]一种超高压半导体整流器有效

专利信息
申请号: 201020247047.5 申请日: 2010-07-02
公开(公告)号: CN201752014U 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 安国星;李述洲 申请(专利权)人: 重庆平伟实业股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 405200 重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 实用新型公开了一种超高压半导体整流器,包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本实用新型的有益效果是:在同类产品的多层硅芯片叠焊的结构上,将其中一层芯片由普通型设计为快恢复类芯片,这样就可使产品的逆向恢复时间降低至300ns以下,因此本实用新型不仅有耐压高的特点,而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。
搜索关键词: 一种 超高压 半导体 整流器
【主权项】:
一种超高压半导体整流器,其特征在于:包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。
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