[实用新型]一种等离子体浸没离子注入系统有效
| 申请号： | 201020247215.0 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN201785483U | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李超波;刘杰;汪明刚;夏洋;罗威;罗小晨;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本实用新型提既提高了掺杂注入的均匀性，又消除了中、高能浸没离子注入由于鞘层过宽而引起的等离子体熄灭，还能实现低气压下的中、高能浸没离子掺杂注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 浸没 离子 注入 系统 | ||
【主权项】：
一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，其特征在于：还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。
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