[实用新型]一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片无效

专利信息
申请号: 201020258566.1 申请日: 2010-07-15
公开(公告)号: CN201803985U 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 曹忠;戴云林;龙姝;龚福春;谭淑珍;杨荣华 申请(专利权)人: 长沙理工大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414;G01N27/327;C12Q1/68
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410004 湖南省长沙市雨花*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片,其特征在于将场效应晶体管的栅极设计成延长的结构,即将栅极延长0.1-40mm的距离,构建延长栅金平板电极(Au)结构。所述延长栅金平板电极(Au)特征是用铝线(Al)作为导线连接着延长出的金平板电极(Au),长和宽边长为0.2-1.0mm,且该金电极(Au)结构是通过溅射镀膜的方法在SiO2基底层(4)上按从下往上的顺序分别将铬层(3)、镍铜合金层(2)、金层(1)镀上。传感芯片的制备则是利用含巯基基团的分子,将含有与目标互补的DNA片段通过硫醇分子的桥连作用自组装在延长的金电极(Au)上,制备成检测目标DNA分子的传感芯片。应用该传感芯片在金基底每100nm2面积上可检测到1-10个DNA分子。传感芯片结构简单,操作简便,通用性强。
搜索关键词: 一种 用于 dna 分子 检测 延长 场效应 晶体管 传感 芯片
【主权项】:
一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片,其特征在于该传感芯片的场效应晶体管的栅极部分为延长一定距离的结构。
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