[实用新型]二维微磁仪探头无效

专利信息
申请号: 201020262514.1 申请日: 2010-07-16
公开(公告)号: CN201754180U 公开(公告)日: 2011-03-02
发明(设计)人: 陈祝权;续志峰;张红;鲍翔;陈伟丰;徐海红 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开一种二维微磁仪探头,包括两个霍尔元件和一个探头基体,所述霍尔元件分别安装在探头基体的两个相互垂直的表面,霍尔元件焊接在电路板上,电路板通过过盈配合装在探头基体上。当外磁场垂直穿过霍尔元件片时,若给霍尔元件通以恒定电流,则在霍尔元件的输出脚会输出霍尔电压信号。霍尔电压与事先制作好的电压基准进行差分运算,所得各通道信号经过多路模拟开关分时选择,通过运算放大器和A/D转换器,进入单片机系统进行处理分析,计算出测量结果。本实用新型结构简单,安装方便,使微磁仪不仅能测量出磁场的磁感应强度的大小,而且能方便地测量出空间任一微小磁场的方向。
搜索关键词: 二维 微磁仪 探头
【主权项】:
二维微磁仪探头,其特征在于包括两个霍尔元件和一个探头基体,所述霍尔元件分别安装在探头基体的两个相互垂直的表面。
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