[实用新型]大功率四相交流开关无效
| 申请号： | 201020269615.1 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN201733284U | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 沈富德 | 申请（专利权）人： | 江苏矽莱克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213024 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大功率四相交流开关，包括封装体和塑封在封装体内底部的铜底板，所述的铜底板上、封装体内焊接有DCB板，DCB板上焊接有8个单向可控硅，所述的8个单向可控硅在DCB板上作反并联连接，每个单向可控硅的门极通过门极控制端子引出至封装体的外部，所述的8个单向可控硅从DCB板的两侧引出6个外电极到封装外壳的外部。本实用新型所述的结构使得大功率的四相交流开关具有高集成度，并且将单向可控硅器件封装在PBT外壳内减小了产品体积，相互干扰少，性能稳定，非常适合在条件较高的中大功率场合使用。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 相交 开关 | ||
【主权项】：
一种大功率四相交流开关，包括封装体(1)和塑封在封装体(1)内底部的铜底板(2)，其特征在于：所述的铜底板(2)上、封装体(1)内焊接有DCB板(3)，DCB板(3)上焊接有8个单向可控硅(4)，所述的8个单向可控硅(4)在DCB板(3)上作反并联连接，每个单向可控硅(4)的门极通过门极控制端子(5)引出至封装体(1)的外部，所述的8个单向可控硅(4)从DCB板(3)的两侧引出6个外电极(6)到封装体(1)的外部。
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