[实用新型]一种微晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201020271901.1 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN201838600U | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 耿梅艳;李爱丽;李文艳;徐涛;孔伟;陶武松;江明政 | 申请（专利权）人： | 通用光伏能源(烟台)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 烟台信合专利代理有限公司 37102 | 代理人： | 韩珺 |
| 地址： | 265500 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种微晶硅太阳能电池，包括基底材料(1)、在基底材料(1)之上设有二氧化锡透明导电膜(2)，在二氧化锡透明导电膜(2)的上方设有P型微晶硅薄膜(3)，在P型微晶硅薄膜之上设有i型微晶硅薄膜(4)，在i型微晶硅薄膜(4)之上设有n型微晶硅薄膜(5)，在n型微晶硅薄膜(5)之上设有背电极(6)，其特征在于：在二氧化锡透明导电膜(2)与P型微晶硅薄膜(3)之间设有氧化锌透明导电膜(7)。本实用新型利用氧化锌透明导电膜作为保护层，保护二氧化锡透明导电膜免受氢等离子体的轰击，从而有效防止了二氧化锡透明导电膜透光率下降。其工艺简单，制作的微晶硅薄膜太阳能电池廉价且效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种微晶硅太阳能电池，包括基底材料(1)、在基底材料(1)之上设有二氧化锡透明导电膜(2)，在二氧化锡透明导电膜(2)的上方设有P型微晶硅薄膜(3)，在P型微晶硅薄膜之上设有i型微晶硅薄膜(4)，在i型微晶硅薄膜(4)之上设有n型微晶硅薄膜(5)，在n型微晶硅薄膜(5)之上设有背电极(6)，其特征在于：在二氧化锡透明导电膜(2)与P型微晶硅薄膜(3)之间设有氧化锌透明导电膜(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
