[实用新型]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201020275536.1 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN201749876U | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;马欣荣;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 亚威朗光电(中国)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 314305 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供发光二极管芯片，包括生长衬底、半导体外延层和透明电极，其中，半导体外延层包括N-类型限制层、活化层、P-类型限制层，该发光二极管(LED)芯片还形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、P-类型限制层和活化层，底部是N-类型限制层，在透明电极上还形成有钝化层，该钝化层覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面，该LED芯片还包括：P-打线焊盘及至少一个P-条形电极；其中，P-打线焊盘形成在所述的钝化层上，使得P-打线焊盘不与透明电极直接接触；P-条形电极形成在暴露的透明电极上，P-打线焊盘与P-条形电极电连接。本实用新型能够避免电流拥塞。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括生长衬底、半导体外延层和透明电极，其中，半导体外延层包括N 类型限制层、活化层、P 类型限制层，该LED芯片还形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、P 类型限制层和活化层，底部是N 类型限制层，在透明电极上还形成有钝化层，该钝化层覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面，其特征在于，该LED芯片还包括：P 打线焊盘及至少一个P 条形电极；其中，P 打线焊盘形成在所述的钝化层上，使得P 打线焊盘不与透明电极直接接触；P 条形电极形成在暴露的透明电极上，P 打线焊盘与P 条形电极电连接。
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