[实用新型]硅整流器件的复合内钝化层结构有效
| 申请号： | 201020276049.7 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN201780973U | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 袁德成;张意远;俞栋梁;冯亚宁 | 申请（专利权）人： | 上海美高森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 | 代理人： | 周志宏 |
| 地址： | 201108 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅整流器件的复合内钝化层结构。包括有：中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层、台面、上电极金属层、下电极金属层、由多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的复合层；复合层的多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层依次覆盖在芯片体台面上。本实用新型具有以下优点：以多晶硅膜作为氮化硅膜的粘附层，而氮化硅膜有着超高致密性、超强硬度、异常稳定的化学特性及优秀的离子与水汽阻挡能力，再覆盖上特殊的玻璃钝化材料，最后在器件的电极引出端两面用真空镀镍膜或化学镀镍金技术形成金属层，从而确保了后工序封装的质量、以及使用过程中的高稳定性和高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅整流器 复合 钝化 结构 | ||
【主权项】：
一种硅整流器件的复合内钝化层结构，包括有中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层、台面、上电极金属层、下电极金属层，其特征在于，还有由多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的复合层，复合层的多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层依次覆盖在芯片体台面上，所述上电极金属层位于芯片体复合多层钝化区的中间，下电极金属层位于芯片体复合层钝化区的对侧。
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