[实用新型]输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器无效

专利信息
申请号: 201020277353.3 申请日: 2010-07-30
公开(公告)号: CN201781465U 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 梅海涛;孙礼中 申请(专利权)人: 苏州科山微电子科技有限公司
主分类号: H03K5/22 分类号: H03K5/22;H03F3/45
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 赵枫
地址: 215021 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器,属于模数/数模转换器应用领域。一种输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器,由NMOS型比较器和PMOS型比较器组成,所述NMOS型比较器中的NMOS差分对:第一NMOS管和第二NMOS管的栅极与PMOS型比较器中的PMOS差分对:第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接,所述NMOS型比较器的输出放大级上的第三PMOS管的漏极、源极与设置于PMOS型比较器输出放大级上的第三NMOS管的漏极、第四PMOS管的源极相连,所述NMOS型比较器的输出放大级上的第四NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极相连。通过本实用新型无论输入和参考电压在任何区间内变化,比较器都能输出正确的结果。
搜索关键词: 输入 参考 电压 幅度 轨至轨 cmos 比较
【主权项】:
一种输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器,其特征是:所述输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器由NMOS型比较器和PMOS型比较器组成,所述NMOS型比较器中的NMOS差分对:第一NMOS管(1)和第二NMOS管(2)的栅极与PMOS型比较器中的PMOS差分对:第一PMOS管(9)和第PMOS管(10)的栅极连接,所述NMOS型比较器的输出放大级上的第三PMOS管(11)的漏极、源极与设置于PMOS型比较器输出放大级上的第三NMOS管(3)的漏极、第四PMOS管(12)的源极相连,所述NMOS型比较器的输出放大级上的第四NMOS管(4)的漏极与第四PMOS管(12)的漏极相连。
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