[实用新型]一种化合物半导体单晶生长用BN和碳化硅复合结构坩埚有效
| 申请号： | 201020277364.1 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN201883177U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何军舫;房明浩;刘艳改;黄朝晖 | 申请（专利权）人： | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101101 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种化合物半导体单晶生长用BN/碳化硅复合坩埚。本实用新型的BN/碳化硅复合坩埚，其特征在于：所述的坩埚由外部重结晶碳化硅支撑层和内部与化合物半导体接触的热解BN内层构成，重结晶碳化硅支撑层的厚度范围为10mm-35mm，热解BN内层的厚度范围为5μm-3mm。这种坩埚的优点在于：1、热解BN层薄，厚度可以小于1mm，制备成本较低；2、重结晶碳化硅支撑层强度高可以获得更大尺寸坩埚；3、使用后可以容易的实现热解BN层和重结晶碳化硅陶瓷支撑层的分离，在重结晶碳化硅陶瓷支撑层内壁可以再次制备热解BN内层，从而实现这种化合物半导体单晶生长用坩埚的重复使用，从而降低使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 生长 bn 碳化硅 复合 结构 坩埚 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体单晶生长用复合坩埚，其特征在于，所述的坩埚由外部重结晶碳化硅支撑层和内部与化合物半导体接触的热解BN内层构成，重结晶碳化硅支撑层的厚度范围为10mm 35mm，热解BN内层的厚度范围为5μm 3mm。
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