[实用新型]高亮度发光二极管晶粒有效
| 申请号： | 201020278629.X | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN201758137U | 公开（公告）日： | 2011-03-09 |
| 发明（设计）人： | 胡泰祥 | 申请（专利权）人： | 元茂光电科技(武汉)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人： | 吴晓颖;冯卫平 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制备技术领域，提供一种具有新型结构的高亮度发光二极管晶粒，包括P面电极层、P型掺杂层、N型掺杂层、衬底层和N面电极层，其所述P型掺杂层、N型掺杂层和衬底层的侧面均设有粗化结构。本实用新型利用化学腐蚀等方法使外延表面形成侧面的粗化结构，使部分光从侧面发出，增加了发光区的面积，从而提升出光效率，提高发光二极管的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 晶粒 | ||
【主权项】：
高亮度发光二极管晶粒，包括P面电极层、P型掺杂层、N型掺杂层、衬底层和N面电极层，其特征在于：在P型掺杂层、N型掺杂层和衬底层的侧面均设有粗化结构。
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