[实用新型]将SiO2还原为Si的熔盐电解装置无效

专利信息
申请号: 201020283479.1 申请日: 2010-08-06
公开(公告)号: CN201809445U 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 马文会;陈家辉;秦博;杨斌;魏奎先;刘永成;谢克强;周阳;徐宝强;刘大春;陈建云;戴永年 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C25B1/00 分类号: C25B1/00;C25B9/00;C01B33/021
代理公司: 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 代理人: 徐玲菊
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 实用新型提供一种将SiO2还原为Si的熔盐电解装置,包括其内带空腔、其内壁设有耐火保温层,耐火保温层中设电阻丝的壳体,置于壳体内的熔盐坩锅,设于壳体上的其上带通孔的炉盖,其特征在于熔盐坩锅通过导线与壳体外的阳极导线相连,熔盐坩锅内设有其上设绝缘盖、其内设空腔的多孔坩锅,阴极置于多孔坩锅内,并通过导线与壳体外的阴极导线相连。克服了制备硅过程中存在电解时间长,能耗高,污染严重,硅收集难等问题,而且采用二氧化硅作为原料,直接电解制备出纯度比较高的硅,同时电解反应是在惰性气体保护下进行,能有效防止硅被氧化,且废气产生微小,熔盐能反复使用,反应器以及坩埚都采用价格低廉的石墨作为原料,反应温度低,能耗低。
搜索关键词: sio sub 还原 si 电解 装置
【主权项】:
一种将SiO2还原为Si的熔盐电解装置,包括其内带空腔、其内壁设有耐火保温层,耐火保温层中设电阻丝的壳体,置于壳体内的熔盐坩锅,设于壳体上的其上带通孔的炉盖,其特征在于熔盐坩锅通过导线与壳体外的阳极导线相连,熔盐坩锅内设有其上设绝缘盖、其内设空腔的多孔坩锅,阴极置于多孔坩锅内,并通过导线与壳体外的阴极导线相连。
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