[实用新型]可提高真空灭弧室外部绝缘水平的真空灭弧室无效
| 申请号： | 201020500770.X | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN201804789U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王帅;周光;郭春薇;王政 | 申请（专利权）人： | 东芝白云真空开关管(锦州)有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/666 | 分类号： | H01H33/666 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121001 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可提高真空灭弧室外部绝缘水平的真空灭弧室，包括真空灭弧室本体，其特殊之处是：在真空灭弧室本体表面设有室温硫化硅橡胶涂层。本实用新型可使真空灭弧室的外绝缘水平有显著的提高，使其具有憎水性、耐污秽性，减小外界环境因素对其绝缘水平的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 真空 灭弧室 外部 绝缘 水平 | ||
【主权项】：
一种可提高真空灭弧室外部绝缘水平的真空灭弧室，包括真空灭弧室本体，其特征是：在真空灭弧室本体表面设有室温硫化硅橡胶涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝白云真空开关管(锦州)有限公司，未经东芝白云真空开关管(锦州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020500770.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于制造半导体器件的氧化装置
- 下一篇：具有捆扎结构纱线的麻织物
