[实用新型]一种LED芯片的电极结构及包含其的LED芯片结构有效

专利信息
申请号: 201020515951.X 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN201812849U 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 姚禹;许亚兵;戚运东;罗正加 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/14
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明
地址: 410007 *** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种LED芯片的电极结构,包括:N型电极和P型电极,N型电极包括:边缘电极,设置在芯片边缘,边缘电极包括相互平行的两条第一边缘电极,以及连接在两条第一边缘电极之间的第二边缘电极;中心电极,连接在第二边缘电极的中心,平行于第一边缘电极设置;定位电极,包括:连接在第一边缘电极上,并平行于第二边缘电极设置的第一定位电极,以及连接在中心电极上,并平行于第一定位电极设置的第二定位电极;P型电极的结构配置为与第一定位电极和第二定位电极保持预定距离,在第一定位电极和第二定位电极之间延伸。该结构通过改变N型电极与P型电极之间的排布结构,使电流传递更为稳定、以达到更好的电流扩散性,避免电流聚集效应的产生。
搜索关键词: 一种 led 芯片 电极 结构 包含
【主权项】:
一种LED芯片的电极结构,包括N型电极和P型电极,其特征在于,所述N型电极(3)包括:边缘电极,设置在所述芯片边缘,所述边缘电极包括相互平行的两条第一边缘电极(31),以及连接在两条所述第一边缘电极(31)之间的第二边缘电极(33);中心电极(35),连接在所述第二边缘电极(33)的中心,平行于所述第一边缘电极(31)设置;定位电极,包括:连接在所述第一边缘电极(31)上,并平行于所述第二边缘电极(33)设置的第一定位电极(37),以及连接在所述中心电极(35)上,并平行于所述第一定位电极(37)设置的第二定位电极(39);所述P型电极(6)的结构配置为与所述第一定位电极(37)和第二定位电极(39)保持预定距离,在所述第一定位电极(37)和第二定位电极(39)之间延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司,未经湘能华磊光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020515951.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top