[实用新型]一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片无效
| 申请号： | 201020535684.2 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN201859879U | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 冯士维;乔彦彬;郭春生;张光沉;邓海涛 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;G01R27/14 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本实用新型提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。本实用新型测量芯片不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本实用新型芯片能更为准确有效的评估欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 半导体器件 欧姆 接触 退化 芯片 | ||
【主权项】：
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。
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