[实用新型]一种实现大电流低压降的单向导电电路无效
| 申请号： | 201020535809.1 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN201821254U | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王景民;杜文广;王建廷;焦海清;马海涛;王庆元;兰建克 | 申请（专利权）人： | 石家庄国耀电子科技有限公司;深圳市国耀电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人： | 李羡民;高锡明 |
| 地址： | 050035 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种实现大电流低压降的单向导电电路，用于提高整流器件性能。它由内部带有寄生二极管的MOSFET、达林顿三极管和电阻组成，第一达林顿三极管的发射极经第一电阻接MOSFET的源极，第一达林顿三极管的集电极接MOSFET的栅极；第二达林顿三极管的集电极接MOSFET的漏极，第一达林顿三极管的基极、第二达林顿三极管的基极与第二达林顿三极管的发射极先短接在一起，再通过第二电阻接驱动电源正极，所述MOSFET的栅极经第三电阻接驱动电源正极。同传统控制电路相比，本实用新型以两个达林顿三极管取代了四个运算放大器，不仅具有结构简单，成本低廉的优点，而且反应速度快，反应时间为纳秒级，无反灌电流的现象，工作稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 电流 低压 单向 导电 电路 | ||
【主权项】：
一种实现大电流低压降的单向导电电路，其特征是，它由内部带有寄生二极管的MOSFET(V1)、两个达林顿三极管和电阻组成，其中，第一达林顿三极管(Q1)的发射极经第一电阻(R1)接MOSFET(V1)的源极，第一达林顿三极管(Q1)的集电极接MOSFET(V1)的栅极；第二达林顿三极管(Q2)的集电极接MOSFET(V1)的漏极，第一达林顿三极管(Q1)的基极、第二达林顿三极管(Q2)的基极与第二达林顿三极管(Q2)的发射极均通过第二电阻(R2)接驱动电源正极，所述MOSFET(V1)的栅极经第三电阻(R3)接驱动电源正极。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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