[实用新型]一种图像传感器芯片无效
| 申请号： | 201020547673.6 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN201812822U | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 庄鸿 | 申请（专利权）人： | 庄鸿 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 215006 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种图像传感器芯片。它可以有效增加相机景深，且结构合理，它包括图像传感器芯片，在该芯片上设有若干个像素阵列，各像素阵列与像素控制电路连接，所述各像素阵列的感光区域设置在高度相异的多个平面上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种图像传感器芯片，它包括图像传感器芯片，在该芯片上设有若干个像素阵列，各像素阵列与像素控制电路连接，其特征是，所述各像素阵列的感光区域设置在高度相异的两个或者多个平面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
