[实用新型]硅片镀膜载板无效
申请号: | 201020548045.X | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN201793736U | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 张瞩君 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及硅片镀膜设备技术领域,特别是一种硅片镀膜设备内的镀膜载板,在载板的前端与后端分别安装一条垂直载板前进方向的匀流条,匀流条高出载板的上端和下端。匀流条的安装可以显著的降低载板前后端色差片的产生;同时匀流条的安装增加了石墨载板的强度,使载板更加平稳的运行于设备中,降低设备发生故障的几率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 镀膜 | ||
【主权项】:
一种硅片镀膜载板,其特征是:在载板(1)的前端与后端分别安装一条垂直载板前进方向的匀流条(2),匀流条(2)高出载板的上端和下端。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的