[实用新型]半导体硅片清洗工艺腔有效
| 申请号： | 201020548508.2 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN201898117U | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋;张伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种半导体硅片清洗工艺腔，所述工艺腔内部上下各具有一个可升降及旋转的平台，所述每个平台上具有若干个附带真空管路的硅片支架，用于承载及固定硅片，其中，下方平台的硅片支架位于平台上方，上方平台的硅片支架位于平台下方；所述两片硅片之间设置有一块面积大于硅片的盖板，所述盖板上具有一个或多个出水孔，连接到不同的液体或气体管路上，所述盖板的边缘向下弯曲，形成导流护罩，所述上方平台同样设置有导流护罩。本实用新型提出一种新型的半导体硅片清洗工艺腔的改进，可以在保持清洗效果的前提下，同时清洗两枚硅片，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于：所述工艺腔内部上下各具有一个可升降及旋转的平台，所述每个平台上具有若干个附带真空管路的硅片支架，用于承载及固定硅片，其中，下方平台的硅片支架位于平台上方，上方平台的硅片支架位于平台下方；所述两片硅片之间设置有一块面积大于硅片的盖板，所述盖板上具有一个或多个出水孔，连接到不同的液体或气体管路上，所述盖板的边缘向下弯曲，形成导流护罩，所述上方平台同样设置有导流护罩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
