[实用新型]用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路无效
申请号: | 201020574314.X | 申请日: | 2010-10-15 |
公开(公告)号: | CN201918976U | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 汪金辉;吴武臣;侯立刚;宫娜;耿淑琴;张旺;袁颖 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H03K19/017 | 分类号: | H03K19/017;H03K19/096 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 魏聿珠 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路,包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,休眠信号端,预充管,保持管,时钟管,休眠管,输出静态反相器和下拉网络。保持管,休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管,其余晶体管为低阈值的晶体管;PMOS休眠管的源极接电源,漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极,对于两个NMOS休眠管,一个NMOS休眠管的源极接动态结点,另一个NMOS休眠管的源极接输出端,两个NMOS休眠管的漏极接地电压;用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。 | ||
搜索关键词: | 用于 功耗 vlsi 休眠 管多米诺 电路 | ||
【主权项】:
用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路,包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,休眠信号端,预充管,保持管,时钟管,休眠管,输出静态反相器和下拉网络,其特征在于:预充管,保持管,休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管,其余晶体管为低阈值的晶体管;PMOS休眠管的源极接电源,漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极,对于两个NMOS休眠管,一个NMOS休眠管的源极接动态结点,另一个NMOS休眠管的源极接输出端,两个NMOS休眠管的漏极接地电压;用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。
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