[实用新型]MOS晶体管及CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201020575654.4 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN201845782U | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 霍介光;李文强;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOS晶体管及CMOS图像传感器，该MOS晶体管包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上的栅导电层，在所述栅极两侧的半导体衬底中具有源极区和漏极区，其特征在于，所述栅氧层包括含氮的氧化硅层和位于含氮的氧化硅层和半导体衬底之间的不含氮的氧化硅层，从而使得MOS晶体管的稳定性提高，图像传感器精确性更高。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上的栅导电层，在所述栅极两侧的半导体衬底中具有源极区和漏极区，其特征在于，所述栅氧层包括含氮的氧化硅层和位于含氮的氧化硅层和半导体衬底之间的不含氮的氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司，未经格科微电子(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020575654.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
