[实用新型]发光二极管装配支架无效
| 申请号： | 201020585714.0 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN201829538U | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 曹清华 | 申请（专利权）人： | 南昌工程学院 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种发光二极管装配支架，包括带底的中空架体，电极引线，位于中空架体底部的芯片装配区，芯片装配区分为发光二极管芯片装配区和齐纳二极管装配区，所述齐纳二极管装配区底部与发光二极管芯片装配区的底部平行，齐纳二极管装配区所在水平面比发光二极管芯片装配区所在水平面低70um以上。本实用新型通过将齐纳二极管装配区设计在低于发光二极管芯片装配区所在的平面上，可大大减少齐纳二极管对发光二极管芯片光的吸收，从而提高二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装配 支架 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装配支架，包括带底的中空架体(1)，电极引线(3)，位于中空架体(1)底部的芯片装配区，其特征在于：芯片装配区分为发光二极管芯片装配区(2)和齐纳二极管装配区(4)，所述齐纳二极管装配区(4)的底部与发光二极管芯片装配区(2)的底部平行，齐纳二极管装配区(4)所在水平面比发光二极管芯片装配区(2)所在水平面低70um以上。
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