[实用新型]一种掉电记忆电路无效
| 申请号： | 201020590138.9 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN201876865U | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 胡国良;魏王江 | 申请（专利权）人： | 苏州合欣美电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/00 | 分类号： | G06F11/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种掉电记忆电路，包括一检测芯片IC1，所述检测芯片IC1包括输入输出端i/o1、i/o2、i/o3、i/o4以及复位端REST，所述输入输出端i/o4连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极通过一电阻R1接检测电源V，所述三极管Q1与电阻R1的连接端还通过一电阻R2接地，所述三极管Q1的发射极连接在所述电阻R2的接地端，所述三极管Q1的基极与发射极之间跨接一电容C1，所述输入输出端i/o1、i/o2及i/o3分别连接在一存储芯片IC2的第八引脚、第五引脚和第六引脚上，所述存储芯片IC2其他引脚接地。本实用新型的电路结构简单，使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掉电 记忆 电路 | ||
【主权项】：
一种掉电记忆电路，包括一检测芯片IC1，所述检测芯片IC1包括输入输出端i/o1、i/o2、i/o3、i/o4以及复位端REST，所述输入输出端i/o4连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极通过一电阻R1接检测电源V，所述三极管Q1与电阻R1的连接端还通过一电阻R2接地，所述三极管Q1的发射极连接在所述电阻R2的接地端，所述三极管Q1的基极与发射极之间跨接一电容C1，其特征在于：所述输入输出端i/o1、i/o2及i/o3分别连接在一存储芯片IC2的第八引脚(8)、第五引脚(5)和第六引脚(6)上，所述存储芯片IC2的第一引脚(1)、第二引脚(2)、第三引脚(3)、第四引脚(4)和第七引脚(7)相互连接后接地。
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