[实用新型]一种新型非晶硅电池组件无效
申请号: | 201020592853.6 | 申请日: | 2010-11-05 |
公开(公告)号: | CN201918404U | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 李步春;邱泽皓 | 申请(专利权)人: | 成都硅宝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 邓继轩 |
地址: | 610041 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型非晶硅电池组件,其特点是该电池组件依次由玻璃基底(1)、透明电镀层(2)、非晶硅层(3)、铝膜背片极层(4)和粘结层(5)连接,非晶硅层(3)、铝膜背片极层(4)和粘结层(5)的四周以密封胶层一(6)和密封胶层二(7)密封构成非晶硅电池组件。由于采用了两道密封方式,有效地保护了太阳能薄膜电池不易被外界水气和灰尘等物质的侵蚀。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 非晶硅 电池 组件 | ||
【主权项】:
一种新型非晶硅电池组件,其特征在于该电池组件依次由玻璃基底(1)、透明电镀层(2)、非晶硅层(3)、铝膜背片极层(4)和粘结层(5)连接,非晶硅层(3)、铝膜背片极层(4)和粘结层(5)的四周以密封胶层一(6)和密封胶层二(7)密封构成非晶硅电池组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的