[实用新型]新型电力电子功率器件无效

专利信息
申请号: 201020594672.7 申请日: 2010-11-06
公开(公告)号: CN201845783U 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 廖太仪 申请(专利权)人: 大连恒森微波电子有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41
代理公司: 大连星海专利事务所 21208 代理人: 花向阳
地址: 116025 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种新型电力电子功率器件,主要是指电力电子VDMOSFET(310W/35A)器件,属于开关电源技术领域。这种新型电力电子功率器件主要包括漏极、源极、栅极和N+衬底,在所述N+衬底下设有多层金属化,在N+衬底上为N-外延层,在N-外延层上为铝电极区,在铝电极区上设有源极;在铝电极区下部设有栅极;在N-外延层的上部设有沟道区。该VDMOSFET(310W/35A)产品分为两个级别。一是工业级标准,器件老化要求大于1000小时;二是消费电子级别器件,器件老化要求大于等于168小时。两种器件主要目标市场:1、邮电、通讯、作移动通讯基站电源。2、计算机,作为服务器、工业控制机的开关电源。3、电动车、滑板车、电动工具控制器。4、家用电子产品。国内开关电源随着通用工业和消费电子产品的市场需求迅速增长,增长率为30%。
搜索关键词: 新型 电力 电子 功率 器件
【主权项】:
一种新型电力电子功率器件,它主要包括漏极(1)、源极(9)和栅极(10),其特征在于:它还包括一个N+衬底(3),在所述N+衬底(3)下设有多层金属化(2),在N+衬底(3)上为N 外延层,在N 外延层上为铝电极区(8),在铝电极区(8)上设有源极(9);在铝电极区(8)下部设有栅极(10);在N 外延层的上部设有沟道区(12)。
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