[实用新型]一种多注速调管高次模式的矩形谐振腔结构有效
| 申请号： | 201020601805.9 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN201859828U | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 翟建国;李冬凤;范迎山;张益林 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J23/18 | 分类号： | H01J23/18 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 11010 | 代理人： | 李勤媛 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多注速调管高次模式的矩形谐振腔结构，属于微波真空电子器件领域，在矩形谐振腔上下腔壁内对应TM220模式的4个电场峰值集中区域，设置4对漂移管头，4对漂移管头上下两两相对，中间构成互作用间隙；被冷却通道围绕着的漂移管头上开有多个用作电子注流通的通孔。由于TM220模式矩形谐振腔设置4对漂移管头，相当于4个基模腔的并联，输出功率可达矩形基模腔的4倍，大幅提高了输出功率容量。而且，动态调谐方便，频率稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 速调管 模式 矩形 谐振腔 结构 | ||
【主权项】：
一种多注速调管高次模式的矩形谐振腔结构，在矩形谐振腔上下腔壁内对应TM220模式的4个电场峰值集中区域，其特征在于，设置4对漂移管头，4对漂移管头上下两两相对，中间构成互作用间隙；被冷却通道围绕着的漂移管头上开有多个用作电子注流通的通孔。
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